高周波グロー放電発光分光分析

概要

高周波グロー放電発光分光分析(rf-GD-OES) は、Arスパッタリングにより試料表面から原子を弾き出し、励起させ生じた発光を分光測定する方法で、H～Uまでの複数元素情報を同時に、最大深さ100μm得ることができる深さ方向の表面分析方法です。
また検出濃度範囲が広いため主成分から微量成分まで同時に評価することができます。
カントバックと同様に鉄鋼材料の定量分析ができる定量装置でもあるため、従来の表面分析装置に比べ、再現性の良い結果が得られる特徴を有しております。

特長

◆深さ方向の元素分析
数nm～100μm程度

◆多元素同時定性・半定量分析
H～U最大35元素

◆高感度分析
検出下限：数10ppm（元素による)

◆スパッタリングレート膜厚換算

◆広領域分析
分析領域φ4 mm、φ2mm

◆大気曝露させずに測定することも可能

◆金属材料だけでなく非導電性材料も分析可能（非導電性材料：ガラス、セラミックス、有機材料^※など）

^※Cが主成分材料である有機材料などはAr-O（5％）ガスで測定を行う。Ar-Oにより測定した場合は定性分析のみ可能

主な用途

分析事例

スパッタ速度は元素ごとに違うため深さ方向に構成元素および含有濃度が変化する試料は一定の速度でスパッタできません。
GD-OESは材料固有のスパッタリングレート（SR）を用いた膜厚換算評価ができる新しい手法です。

主な分析依頼

めっき品など多層膜の深さ方向の元素分布や界面評価
表面変色部の調査
雰囲気や熱による表面変化および熱拡散評価
皮膜や薄膜、表面処理層の厚み評価
金属材料中の深さ方向のH分布評価